高速开关波形测量难度高
SiC、GaN 等功率器件开关速度快，电压电流变化陡峭，对探头带宽、响应速度和波形保真度要求很高。
半导体测试
围绕 SiC、GaN 等宽禁带功率器件的双脉冲测试、功率模块验证与驱动电路调试，提供高带宽、高精度、低干扰的电压电流测量支持。
挑战
双脉冲测试对同步性要求高
功率模块验证中需要同时观测电压、电流和开关损耗，测试链路的时序同步、延迟控制和抗干扰能力会直接影响结果。
高频高压环境干扰强
半导体功率测试常伴随高 dv/dt、高 di/dt 和复杂布线，容易引入噪声与测量误差，需要稳定的探头和系统级测试方案。
应对 SiC / GaN 功率器件测试中的高速瞬态挑战
随着 SiC 和 GaN 等宽禁带功率器件加速应用，器件开关速度、功率密度与工作电压不断提升，半导体测试中的高速瞬态、电压电流同步测量与损耗分析需求正在显著增加。
以精度为底线
测量产品首先要经得起严苛场景验证，精度、稳定性与一致性是产品设计的基础。
以现场为验证
产品能力不只停留在参数表中，更要能适应研发、测试、调试和产线中的真实复杂环境。
以长期服务为承诺
从选型、使用到维护，持续为客户提供技术支持与维修服务，降低长期使用成本。
典型测试场景
SiC / GaN 双脉冲测试
验证功率器件开通、关断、反向恢复和开关损耗表现，是功率模块研发中的核心测试场景。
功率模块开关特性验证
围绕高压母线、电流瞬态和驱动策略，评估模块在高频、高压条件下的工作状态。
驱动电路调试与时序分析
同步观测栅极驱动、电压与电流波形，判断驱动延迟、振荡和保护策略是否合理。
高 dv/dt / 高 di/dt 环境抗干扰测量
在强噪声、复杂布线和高频开关环境中，保证电压电流测量链路稳定可靠。